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💡 Wissenschaftler (m/w/d) Halbleiterphysik: Zukunft der Mikroelektronik gestalten
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Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Magdeburg
Stichworte
Zusammenfassung
Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg sucht eine/n engagierte/n wissenschaftliche/n Mitarbeiter/in im Bereich Halbleiterphysik zur Mitarbeit in einem Forschungsprojekt zur Entwicklung neuartiger Übergangsmetall-Nitrid-Halbleiterschichten. Die Stelle bietet hervorragende experimentelle Möglichkeiten und die Chance zur Promotion. Gesucht werden Kandidaten mit Master/Diplom in Physik oder verwandtem Fach, fundierten Kenntnissen in Halbleiterphysik und idealerweise Erfahrung mit Halbleiterepitaxie. Die Universität bietet attraktive Arbeitsbedingungen und unterstützt die berufliche Entwicklung ihrer Mitarbeiter. Die Stelle ist bis zum 31.12.2027 befristet.
Benefits und Qualifikationen
- Möglichkeit zur Promotion
- Anspruchsvolle Aufgabe mit Gestaltungsspielraum
- Unterstützung und Förderung der beruflichen Entwicklung
Stellenausschreibung
Die Otto-von-Guericke- Universität Magdeburg (OVGU) ist eine forschungsstarke, regional vernetzte und international orientierte Profiluniversität.
An der Fakultät für Naturwissenschaften ist am Institut für Physik, Abteilung Halbleiterepitaxie, eine Stelle als
Wissenschaftliche*r Mitarbeiter*in (m/w/d) auf dem Gebiet der Halbleiterphysik // Research Associate (m/f/d) in the field of semiconductor physics
zu besetzen.
Entgeltgruppe:
13 TV-L
Einstellungsdatum: zum nächstmögl. Zeitpunkt
Befristung:
31.12.2027
Arbeitszeit:
100 %
For English version please see below.
Wir sind eine Universität mit Schwerpunkten in den Ingenieur- und Naturwissenschaften sowie Wirtschaftswissenschaft, Humanwissenschaften und Medizin. 13.000 Studierenden aus dem In- und Ausland sowie ca. 3.000 Beschäftigten bieten wir hervorragende Studien- und Arbeitsbedingungen.
Die Stelle ist auf dem Gebiet der Halbleiterphysik im Rahmen des Forschungsprojekts „Entwicklung neuer Übergangsmetall-Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterschichten für die Mikroelektronik“ zu besetzen. Ziel des Projekts ist das epitaktische Wachstum und die Charakterisierung von neuartigen gesputterten Übergangsmetall-Nitriden auch in Verbindung mit Gruppe-III-Nitriden. Der/die Bewerber*in (m/w/d) erhält hervorragende experimentelle Möglichkeiten und eine Einbettung in eine attraktive abteilungsübergreifende Arbeitsgruppe. Die Möglichkeit zur Promotion ist gegeben und wird unterstützt.
Sie profitieren von unseren Strukturen und Angeboten für Nachhaltigkeit, Diversität, Familienfreundlichkeit und Personalentwicklung. Unser Standort im Zentrum einer florierenden, belebten und familienfreundlichen Landeshauptstadt garantiert eine hohe Lebensqualität und vielfältige Freizeitmöglichkeiten. Weitere Informationen erhalten Sie unter www.ovgu.de/karriere und unter .
Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg ist Unterzeichnerin der Charta der Vielfalt. Ihre Bewerbung ist bei uns willkommen, unabhängig von Geschlecht, kultureller und sozialer Herkunft, Alter oder sexueller Orientierung. Bewerbungen von schwerbehinderten Menschen und ihnen Gleichgestellten werden bei gleicher Eignung, Befähigung und fachlicher Qualifikation bevorzugt berücksichtigt. Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg setzt sich für die berufliche Gleichstellung von Frauen und Männern ein.
Bitte beachten Sie die Informationen zur Erhebung personenbezogener Daten unter:
Ihre vollständige Bewerbung (Motivationsschreiben, Lebenslauf, Zeugnisse) senden Sie bitte bis zum
19.November 2024 über das Online-Bewerbungsportal.
We are a university with a focus on engineering and natural sciences as well as economics, human sciences and medicine. We offer excellent study and working conditions to 13,000 students from Germany and abroad as well as approx. 3,000 employees.
The position is to be filled in the field of semiconductor physics as part of the research project “Development of new transition metal group III nitride semiconductor layers for microelectronics”. The aim of the project is the epitaxial growth and characterization of various novel sputtered transition metal nitrides, also in combination with group-III-nitrides. The applicant (m/f/d) will have excellent experimental opportunities and will be embedded in an attractive interdepartmental working group. The possibility to pursue a PhD is given and supported.
Job description:
An der Fakultät für Naturwissenschaften ist am Institut für Physik, Abteilung Halbleiterepitaxie, eine Stelle als
Wissenschaftliche*r Mitarbeiter*in (m/w/d) auf dem Gebiet der Halbleiterphysik // Research Associate (m/f/d) in the field of semiconductor physics
zu besetzen.
Entgeltgruppe:
13 TV-L
Einstellungsdatum: zum nächstmögl. Zeitpunkt
Befristung:
31.12.2027
Arbeitszeit:
100 %
For English version please see below.
Wir sind eine Universität mit Schwerpunkten in den Ingenieur- und Naturwissenschaften sowie Wirtschaftswissenschaft, Humanwissenschaften und Medizin. 13.000 Studierenden aus dem In- und Ausland sowie ca. 3.000 Beschäftigten bieten wir hervorragende Studien- und Arbeitsbedingungen.
Die Stelle ist auf dem Gebiet der Halbleiterphysik im Rahmen des Forschungsprojekts „Entwicklung neuer Übergangsmetall-Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterschichten für die Mikroelektronik“ zu besetzen. Ziel des Projekts ist das epitaktische Wachstum und die Charakterisierung von neuartigen gesputterten Übergangsmetall-Nitriden auch in Verbindung mit Gruppe-III-Nitriden. Der/die Bewerber*in (m/w/d) erhält hervorragende experimentelle Möglichkeiten und eine Einbettung in eine attraktive abteilungsübergreifende Arbeitsgruppe. Die Möglichkeit zur Promotion ist gegeben und wird unterstützt.
Ihre Aufgaben:
- Herstellung von Übergangsmetallnitriden mittels Sputterepitaxie
- Charakterisierung der Schichten u.a. mittels Röntgenbeugungsmethoden und Rasterkraftmikroskopie, sowie eine enge Zusammenarbeit mit der Abteilung Materialphysik
- selbständige Präsentation der erreichten Fortschritte in der internationalen Fachgemeinschaft, zum Beispiel auf Konferenzen und durch Publikationen
Ihr Profil:
- abgeschlossene wissenschaftliche Hochschulausbildung (Master/Diplom) in Physik oder einem verwandten Fach
- sehr gute Kenntnisse auf dem Gebiet der Halbleiterphysik, insbesondere der Halbleiterepitaxie
- Erfahrungen mit epitaktischen Halbleiterherstellungsverfahren sind von großem Vorteil
- gute Kenntnisse der englischen Sprache und die Fähigkeit in einem international geprägten Netzwerk mitzuarbeiten
Unser Angebot:
- Sie haben die Möglichkeit zur Promotion und werden entsprechend unterstützt und gefördert
- Es erwartet Sie eine anspruchsvolle Aufgabe mit hohem Gestaltungsspielraum
Sie profitieren von unseren Strukturen und Angeboten für Nachhaltigkeit, Diversität, Familienfreundlichkeit und Personalentwicklung. Unser Standort im Zentrum einer florierenden, belebten und familienfreundlichen Landeshauptstadt garantiert eine hohe Lebensqualität und vielfältige Freizeitmöglichkeiten. Weitere Informationen erhalten Sie unter www.ovgu.de/karriere und unter .
Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg ist Unterzeichnerin der Charta der Vielfalt. Ihre Bewerbung ist bei uns willkommen, unabhängig von Geschlecht, kultureller und sozialer Herkunft, Alter oder sexueller Orientierung. Bewerbungen von schwerbehinderten Menschen und ihnen Gleichgestellten werden bei gleicher Eignung, Befähigung und fachlicher Qualifikation bevorzugt berücksichtigt. Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg setzt sich für die berufliche Gleichstellung von Frauen und Männern ein.
Bitte beachten Sie die Informationen zur Erhebung personenbezogener Daten unter:
Ihre vollständige Bewerbung (Motivationsschreiben, Lebenslauf, Zeugnisse) senden Sie bitte bis zum
19.November 2024 über das Online-Bewerbungsportal.
We are a university with a focus on engineering and natural sciences as well as economics, human sciences and medicine. We offer excellent study and working conditions to 13,000 students from Germany and abroad as well as approx. 3,000 employees.
The position is to be filled in the field of semiconductor physics as part of the research project “Development of new transition metal group III nitride semiconductor layers for microelectronics”. The aim of the project is the epitaxial growth and characterization of various novel sputtered transition metal nitrides, also in combination with group-III-nitrides. The applicant (m/f/d) will have excellent experimental opportunities and will be embedded in an attractive interdepartmental working group. The possibility to pursue a PhD is given and supported.
Job description:
- growth of transition metal nitrides by sputtering epitaxy
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